Vishay N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF630S
- RS-artikelnummer:
- 815-2623
- Tillv. art.nr:
- SIHF630STRL-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
136,19 kr
(exkl. moms)
170,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 mars 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 13,619 kr | 136,19 kr |
| 100 - 240 | 12,79 kr | 127,90 kr |
| 250 - 490 | 11,57 kr | 115,70 kr |
| 500 - 990 | 10,898 kr | 108,98 kr |
| 1000 + | 10,203 kr | 102,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 815-2623
- Tillv. art.nr:
- SIHF630STRL-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | SiHF630S | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 400mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 43nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 74W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie SiHF630S | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 74W | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 200 V till 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF630S
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB21N80AE
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E Series
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUM60020E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUM40012EL
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB22N60EF