Vishay N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF630S

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

5 480,00 kr

(exkl. moms)

6 848,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 mars 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 +6,85 kr5 480,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-5995
Tillv. art.nr:
SIHF630STRL-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-263

Serie

SiHF630S

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

400mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

74W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

43nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.65mm

Höjd

4.83mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, 200 V till 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.