onsemi N Kanal, MOSFET, 2.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF1 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (100 enheter, i en förpackning med 100)*

293,60 kr

(exkl. moms)

367,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 19 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 - 4002,936 kr293,60 kr
500 - 9002,531 kr253,10 kr
1000 +2,193 kr219,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
808-0130
Tillv. art.nr:
MGSF1N03LT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

MGSF1

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

145mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6nC

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal effektförlust Pd

690mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.01mm

Längd

3.04mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Effekt-MOSFET med N-kanal, 30 V, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.