onsemi N Kanal, MOSFET, 2.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF1 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 163-0633
- Tillv. art.nr:
- MGSF1N03LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*
5 061,00 kr
(exkl. moms)
6 327,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 19 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,687 kr | 5 061,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 163-0633
- Tillv. art.nr:
- MGSF1N03LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | MGSF1 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 145mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 690mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie MGSF1 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 145mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 690mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.01mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF1 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 750 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF1
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF1N03L AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 560 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002K AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 220 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138K AEC-Q101