onsemi N Kanal, MOSFET, 750 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF1
- RS-artikelnummer:
- 792-5666
- Tillv. art.nr:
- MGSF1N02LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
69,78 kr
(exkl. moms)
87,22 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 440 enhet(er) levereras från den 06 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 3,489 kr | 69,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 792-5666
- Tillv. art.nr:
- MGSF1N02LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 750mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | MGSF1 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 130mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 203nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 400mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 750mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie MGSF1 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 130mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 203nC | ||
Maximal effektförlust Pd 400mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.01mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 750 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF1
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF1 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS7002A
- onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002KW
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, FDN357N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 500 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MMBF170L