Sök efter MPN

onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002K AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 166-2858
Tillv. art.nr:: 2N7002K
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002K AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

1 599,00 kr

(exkl. moms)

1 998,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

9 000 enhet(er) är redo att levereras
Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 13 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 - 6000	0,533 kr	1 599,00 kr
9000 - 21000	0,444 kr	1 332,00 kr
24000 - 42000	0,432 kr	1 296,00 kr
45000 - 96000	0,406 kr	1 218,00 kr
99000 +	0,396 kr	1 188,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 166-2858
Tillv. art.nr:: 2N7002K
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	300mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	2N7002K
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	4.8Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	0.7nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Maximal effektförlust Pd	350mW
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	2.92mm
	Höjd	1.2mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	1.3mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie 2N7002K
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 4.8Ω
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.7nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Maximal effektförlust Pd 350mW
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 2.92mm
	Höjd 1.2mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 1.3mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.

MOSFET-transistorer, ON Semi

ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.