onsemi N Kanal, MOSFET, 3.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 688-9146
- Tillv. art.nr:
- NTR4501NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
9,52 kr
(exkl. moms)
11,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 88 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 2 274 enhet(er) från den 30 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 58 | 4,76 kr | 9,52 kr |
| 60 - 118 | 4,425 kr | 8,85 kr |
| 120 - 198 | 3,81 kr | 7,62 kr |
| 200 - 498 | 3,64 kr | 7,28 kr |
| 500 + | 3,47 kr | 6,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 688-9146
- Tillv. art.nr:
- NTR4501NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.25W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Höjd | 0.94mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.25W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.3mm | ||
Höjd 0.94mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 3.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 560 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138L AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 220 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138K AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002K AEC-Q101
