Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, TK
- RS-artikelnummer:
- 796-5153
- Tillv. art.nr:
- TK9J90E
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
60,93 kr
(exkl. moms)
76,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 160 enhet(er) från den 10 augusti 2026
- Dessutom levereras 39 enhet(er) från den 10 augusti 2026
- Dessutom levereras 86 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 60,93 kr |
| 50 - 149 | 41,10 kr |
| 150 - 374 | 40,21 kr |
| 375 - 749 | 38,86 kr |
| 750 + | 37,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 796-5153
- Tillv. art.nr:
- TK9J90E
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 900V | |
| Kapseltyp | TO-3PN | |
| Serie | TK | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 20mm | |
| Längd | 15.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 900V | ||
Kapseltyp TO-3PN | ||
Serie TK | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 20mm | ||
Längd 15.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
MOSFET N-kanal, TK8- och TK9-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 214 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK