Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 150 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123
- RS-artikelnummer:
- 792-0885
- Tillv. art.nr:
- BSS123,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 100 enheter)*
72,60 kr
(exkl. moms)
90,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 900 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,726 kr | 72,60 kr |
| 200 - 400 | 0,558 kr | 55,80 kr |
| 500 - 900 | 0,436 kr | 43,60 kr |
| 1000 - 1900 | 0,414 kr | 41,40 kr |
| 2000 + | 0,391 kr | 39,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 792-0885
- Tillv. art.nr:
- BSS123,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | BSS123 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 250mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie BSS123 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 250mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V och högre, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 150 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123 AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH201
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.05 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH105
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH108