Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH108

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 024,00 kr

(exkl. moms)

3 780,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,008 kr3 024,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-2287
Tillv. art.nr:
BSH108,215
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

BSH108

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

120mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

830mW

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.4nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanalig MOSFET, upp till 30V


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.