Nexperia N Kanal, MOSFET, 150 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123
- RS-artikelnummer:
- 103-8117
- Tillv. art.nr:
- BSS123,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Denna bild representerar endast produktgruppen
Få en mängdrabatt
Lägg till 6000 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 935,00 kr
(exkl. moms)
2 418,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 372 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,645 kr | 1 935,00 kr | - |
| 6000 - 12000 | 0,613 kr | 1 839,00 kr | 4% |
| 15000 - 27000 | 0,582 kr | 1 746,00 kr | 9% |
| 30000 - 57000 | 0,537 kr | 1 611,00 kr | 16% |
| 60000 + | 0,524 kr | 1 572,00 kr | 18% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-8117
- Tillv. art.nr:
- BSS123,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | BSS123 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 250mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie BSS123 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 250mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V och högre, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 150 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123 AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV20XNE
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 5.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV30UN2
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMBF170
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 8.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV16XN