Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 784-0325
- Tillv. art.nr:
- IRLML5203TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
30,80 kr
(exkl. moms)
38,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 230 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,08 kr | 30,80 kr |
| 100 - 240 | 2,934 kr | 29,34 kr |
| 250 + | 2,464 kr | 24,64 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 784-0325
- Tillv. art.nr:
- IRLML5203TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 165mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.25W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 165mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.25W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 3 A maximal kontinuerlig drain-ström, 30 V maximal drain-källspänning - IRLML5203TRPBF
Denna MOSFET är en högpresterande strömenhet som är lämplig för en rad tillämpningar inom elektroniksektorn. Med ett kompakt SOT-23-paket ger denna P-kanal-enhet betydande effektivitet med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 3 A och en dräneringskällspänning på 30 V. Med mått på 3,04 mm i längd, 1,4 mm i bredd och 1,02 mm i höjd är den väl lämpad för utrymmesbegränsade konstruktioner.
Funktioner & fördelar
• Kan hantera 30 V drain-källspänning för mångsidig användning
• Utformad för ytmontering för förenklad kretskortsdesign
• Fungerar inom ett temperaturområde på -55 °C till +150 °C
• Använder förstärkningsläge för tillförlitlig omkopplingsprestanda
Användningsområden
• Används i batterihanteringssystem för optimal prestanda
• Används i bärbar elektronik på grund av lågprofildesign
• Används i lasthanteringslösningar i olika enheter
• Lämpligt för avancerade automationsstyrningssystem
Vad är betydelsen av de låga Rds(on) i denna enhet?
Den låga Rds(on) säkerställer minskad effektförlust under drift, vilket förbättrar den övergripande effektiviteten och bibehåller lägre termiska nivåer i applikationer.
Hur påverkar effektförlustkapaciteten enhetens prestanda?
Förmågan att avleda upp till 1,25 W möjliggör effektiv värmehantering, vilket säkerställer att enheten fungerar tillförlitligt även under maximala belastningsförhållanden utan termiskt fel.
Vilka faktorer påverkar valet av denna MOSFET för en specifik applikation?
Faktorer som maximal kontinuerlig dräneringsström, spänningsvärden och termiska egenskaper bör övervägas för att säkerställa kompatibilitet med kretskraven och prestandaförväntningarna.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET