Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

RS-artikelnummer:: 919-4744
Tillv. art.nr:: IRLML5103TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

För närvarande inte tillgänglig

Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.

RS-artikelnummer:: 919-4744
Tillv. art.nr:: IRLML5103TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	760mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	600mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	540mW
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3.4nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.02mm
	Bredd	1.4mm
	Längd	3.04mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 760mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 540mW
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.4nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.02mm
	Bredd 1.4mm
	Längd 3.04mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: TH

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 760 mA maximal kontinuerlig dräneringsström, 540 mW maximal effektförlust - IRLML5103TRPBF

Denna MOSFET är en mångsidig elektronisk komponent som lämpar sig för effektiva applikationer med effektswitchning. Den är konstruerad för användning inom automation, elektronik och mekanisk industri och erbjuder en kompakt lösning för högpresterande uppgifter. Dess förbättrade kanalläge förbättrar driftseffektiviteten, vilket gör den till ett populärt val i applikationer som kräver pålitlig MOSFET-funktionalitet.

Funktioner & fördelar

• Kompakt SOT-23-förpackning lämplig för utrymmesbegränsade konstruktioner

• Hög kontinuerlig dräneringsström på 760 mA för ökad hållbarhet

• Maximal drain-source-spänning på 30 V för en rad olika applikationer

• Låg Rds(on) på 600mΩ minimerar strömförlust och ökar effektiviteten

• Typisk grindladdning på 3,4nC ger lägre switchförluster

Användningsområden

• Används i lösningar för krafthantering och kraftomvandling

• Lämplig för industriella automationskonfigurationer

• Idealisk för konstruktioner med switchade nätaggregat

• Stödjer batterihanteringssystem i elektroniska enheter

• Anställd inom motorstyrning som kräver effektiv strömväxling

Hur fungerar MOSFET i miljöer med höga temperaturer?

Den fungerar effektivt vid temperaturer upp till +150°C, vilket garanterar konsekvent prestanda under utmanande förhållanden.

Vilken betydelse har det låga Rds(on)-värdet?

Ett lågt Rds(on) på 600mΩ minskar energiförlusten under drift, vilket förbättrar den totala systemeffektiviteten.

Kan denna MOSFET användas i kompakta konstruktioner?

Ja, SOT-23-paketet gör det möjligt att integrera den i kompakta applikationer utan att kompromissa med prestandan.

Vilken är den maximala gate-source-spänning som denna enhet kan hantera?

Den kan tolerera en maximal gate-source-spänning på ±20V, vilket garanterar säker drift inom specificerade gränser.

Hur ska man gå tillväga för att installationen ska fungera optimalt?

Korrekt hantering och layout på kretskortet är avgörande för att säkerställa adekvat värmehantering och anslutning för optimala resultat.