Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

RS-artikelnummer:: 760-4438
Distrelec artikelnummer:: 304-45-314
Tillv. art.nr:: IRLML2244TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

34,38 kr

(exkl. moms)

42,975 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 14 september 2026
Dessutom levereras 2 680 enhet(er) från den 21 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 +	6,876 kr	34,38 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 760-4438
Distrelec artikelnummer:: 304-45-314
Tillv. art.nr:: IRLML2244TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	4.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	95mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	12V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	6.9nC
	Maximal effektförlust Pd	1.3W
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.02mm
	Längd	3.04mm
	Bredd	1.4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.9nC
	Maximal effektförlust Pd 1.3W
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.02mm
	Längd 3.04mm
	Bredd 1.4mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 4,3 A maximal kontinuerlig drain-ström, 20 V maximal drain-källspänning - IRLML2244TRPBF

Denna MOSFET är utformad för robust prestanda i ett kompakt SOT-23-paket. Med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 4,3 A och en dräneringskällspänning på 20 V är den lämplig för olika tillämpningar inom automations-, elektronik- och elindustrin. Enheten har förstärkningsläge och erbjuder tillförlitlig prestanda i miljöer med höga temperaturer, vilket bibehåller funktionaliteten i temperaturer upp till +150 °C.

Funktioner & fördelar

• Låg RDS(on) på 54 mΩ minimerar omkopplingsförluster

• Kompatibel med industristandard stiftkonfiguration för enkel integrering

• Hög tillförlitlighet med en maximal effektförlust på 1,3 W

• Smalt temperaturområde för optimal driftseffektivitet

• Minskad grindladdning förbättrar den övergripande effektiviteten

Användningsområden

• Idealisk för lågspänningsomkoppling i elektronik

• Lämpligt för strömhantering i DC-DC-omvandlare

• Används i motorstyrningssystem för automationsutrustning

• Används i strömförsörjningskretsar för förbättrad energihantering

Vad är betydelsen av den låga RDS(on) i denna komponent?

Standardstiftuttag gör att den kan bytas ut direkt

Kvalifikationsnivå enligt branschstandard

Hög prestanda i lågfrekventa applikationer

Ökad effekttäthet

Den låga RDS(on) minskar avsevärt effektförlusterna under drift, vilket leder till förbättrad effektivitet och prestanda, särskilt i omkopplingstillämpningar.

Hur gynnar driftstemperaturområdet kretsdesignen?

Batteriskydd

SMPS

DC-omkopplare

Lastbrytare

Ett driftstemperaturområde på -55 °C till +150 °C möjliggör mångsidighet i applikationer, vilket gör att MOSFET kan fungera tillförlitligt i olika driftsmiljöer, från extrem kyla till hög värme.

Vad gör den här enheten lämplig för ytmonteringsteknik?

Den kompakta SOT-23-kapseldesignen och kompatibla stiftkonfigurationen underlättar enkel integrering i kretskortslayouter, förbättrar tillverkningseffektiviteten och möjliggör massproduktion.

Kan denna MOSFET användas i fordonstillämpningar?

Ja, på grund av sin höga termiska resistans och tillförlitlighet vid förhöjda temperaturer är den lämplig för fordonstillämpningar där värmeavledning är avgörande.