Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 760-4438
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-314
- Tillv. art.nr:
- IRLML2244TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
14,06 kr
(exkl. moms)
17,575 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 265 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 152 990 enhet(er) från den 02 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 2,812 kr | 14,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 760-4438
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-314
- Tillv. art.nr:
- IRLML2244TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
-20V enkel P-kanalig StrongIRFET™ Power MOSFET i SOT-23 kapsling
StrongIRFET™ power MOSFET-familjen är optimerad för låga RDS(på) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Features & Benefits
• Low RDS(on) of 54mΩ minimises switching losses
• Compatible with industry-standard pinout for easy integration
• High reliability with a maximum power dissipation of 1.3W
• Narrow temperature range for optimal operational efficiency
• Reduced gate charge enhances overall efficiency
Sammanfattning av funktioner
Fördelar
The low RDS(on) significantly reduces the power losses during operation, leading to improved efficiency and performance, especially in switching applications.
Potentiella tillämpningar
An operating temperature range of -55°C to +150°C allows for versatility in applications, enabling the MOSFET to function reliably in various operating environments, from extreme cold to high heat.
What makes this device suitable for surface mount technology?
The compact SOT-23 package design and compatible pinout facilitate easy integration into PCB layouts, enhancing manufacturing efficiency and allowing for mass production.
Can this MOSFET be used in automotive applications?
Yes, due to its high thermal resistance and reliability at elevated temperatures, it is suitable for automotive applications where heat dissipation is critical.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 12 V Förbättring, 3 Ben, Mikro, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
