onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, NTMS

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

32,89 kr

(exkl. moms)

41,11 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 740 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +3,289 kr32,89 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-4723
Tillv. art.nr:
NTMS4177PR2G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Serie

NTMS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

19mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

29nC

Framåtriktad spänning Vf

-1V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.5mm

Längd

5mm

Fordonsstandard

Nej

P-kanal effekt-MOSFET, 30 V till 500 V, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.