DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 11.4 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 246-6854
- Tillv. art.nr:
- DMPH4015SSSQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 246-6854
- Tillv. art.nr:
- DMPH4015SSSQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.015mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.45mm | |
| Längd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.015mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.45mm | ||
Längd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex gör en P-kanal förstärkningsläge MOSFET, utformad för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i SO-8-förpackning. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet. Den är klassad för +175 °C och idealisk för miljöer med hög omgivningstemperatur. Dess 100 % oklämda induktiva omkoppling säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning.
Maximal dränering till källspänning är 40 V och maximal grind till källspänning är ±25 V. Dess låga RDS(ON) hjälper till att minimera effektförluster Dess låga Qg hjälper till att minimera omkopplingsförluster
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 160 mA 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP65H AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 10.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 8.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 7.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101