onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 13.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, FDS
- RS-artikelnummer:
- 671-0517
- Tillv. art.nr:
- FDS4465
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
111,55 kr
(exkl. moms)
139,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 735 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,31 kr | 111,55 kr |
| 50 - 95 | 19,242 kr | 96,21 kr |
| 100 - 495 | 16,666 kr | 83,33 kr |
| 500 - 995 | 14,628 kr | 73,14 kr |
| 1000 + | 13,328 kr | 66,64 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0517
- Tillv. art.nr:
- FDS4465
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | FDS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 86nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie FDS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 86nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET för fordonsindustrin, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tillhandahåller lösningar som löser komplexa utmaningar på fordonsmarknaden med en grundlig kunskap om kvalitets-, säkerhets- och tillförlitlighetsstandarder.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 13.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, FDS
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, FDS
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench