onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-0618
- Tillv. art.nr:
- FDS6681Z
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
149,30 kr
(exkl. moms)
186,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 20 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 790 enhet(er) från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 29,86 kr | 149,30 kr |
| 50 - 95 | 25,782 kr | 128,91 kr |
| 100 - 495 | 22,31 kr | 111,55 kr |
| 500 - 995 | 19,644 kr | 98,22 kr |
| 1000 + | 17,876 kr | 89,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0618
- Tillv. art.nr:
- FDS6681Z
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 185nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 185nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.
De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Tack vare denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.
PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda med mjuk diod kan eliminera snubberkretsar eller ersätta en MOSFET med högre spänning.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 5.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench