Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 100 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 2

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
752-8154
Tillv. art.nr:
BSC026N02KSGAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS 2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

40nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2.8W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12V, +12V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.35mm

Bredd

5.35mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOSTM2 Power MOSFET-serien


OptiMOSTM2OptiMOS 2

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.