Infineon N Kanal, MOSFET, 147 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 75 till för att spara 5%

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

223,55 kr

(exkl. moms)

279,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 4 995 enhet(er) levereras från den 23 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
15 - 6014,903 kr223,55 kr-
75 - 13514,149 kr212,24 kr5%
150 - 36013,559 kr203,39 kr9%
375 - 73512,955 kr194,33 kr13%
750 +12,059 kr180,89 kr19%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-8972
Tillv. art.nr:
BSC015NE2LS5IATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

147A

Maximal källspänning för dränering Vds

25V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

650mV

Maximal effektförlust Pd

50W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.49mm

Bredd

6.35mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 50 W maximal effektförlust, 25 V maximal drain-källspänning – BSC015NE2LS5IATMA1


Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad effektomkoppling och lastkontroll i krävande termiska miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är specifik för betydande kontinuerlig dräneringsström och effekthantering, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver låga ledningsförluster och snabb grinddriven omkoppling.

Funktioner och fördelar:


• 1.5 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid höga strömmar
• Kontinuerlig dräneringsström på 147 A stöder höga belastningsströmmar
• 50 W effektförlust möjliggör hållbar effekthantering
• 22 nC typisk grindladdning möjliggör effektiv omkopplingskontroll
• 0,65 V framspänning minimerar spänningsfall under belastning
• 25 V drain‐source-klassning passar strömskenor med låg spänning

Användningsområden


• Lämplig för DC/DC-omvandlare med hög strömstyrka
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används för motordriftsteg i kraftelektronik
• Kan användas för batteriskydd och batteridistribution
• Lämplig för strömomkoppling i kompakta SMD-enheter

Vilken kapsling och monteringsstil använder den?


Den levereras i en 8-stifts TDSON-kapsel avsedd för ytmontering.

Vilka spänningsgränser bör iakttas vid kretsdesign?


Den maximala drain-source-spänningen är 25 V och den maximala gate-source-spänningen är 16 V.

Hur fungerar den i extrema temperaturer?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C för ett utökat termiskt intervall.

Vilken kanaltyp och vilket läge implementeras?


Enheten är en MOSFET med N-kanalförstärkningsläge.

Vilka fysiska begränsningar är relevanta för kretskortslayout?


Förpackningen mäter cirka 5,49 mm x 6,35 mm med en höjd på 1,1 mm.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.