Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 178-7481
Tillv. art.nr:: BSC011N03LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

32 490,00 kr

(exkl. moms)

40 610,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

5 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	6,498 kr	32 490,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-7481
Tillv. art.nr:: BSC011N03LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	100A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	OptiMOS
	Kapseltyp	TDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	36nC
	Maximal effektförlust Pd	96W
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	6.1mm
	Bredd	5.35mm
	Höjd	1.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie OptiMOS
	Kapseltyp TDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC
	Maximal effektförlust Pd 96W
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 6.1mm
	Bredd 5.35mm
	Höjd 1.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

BSC030P03NS3G

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 100 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC011N03LSATMA1

Denna MOSFET är en strömomkopplande enhet som är utformad för högströms-, lågspänningstillämpningar i ytmonterade enheter. Den fungerar över ett utökat omgivningsområde och är avsedd för krävande termiska och elektriska miljöer där effektiv ledning och snabb omkoppling krävs.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 1.4 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Hög kontinuerlig dräneringskapacitet 100 A hanterar tunga laster
• Toppeffektförlust 96 W stöder förhöjd effektöverföring
• Låg framåtvänd spänning 1 V förbättrar konverteringseffektiviteten
• Typisk grindladdning på 36 nC möjliggör snabba grindövergångar
• Nominell gränstolerans på 20 V skyddar mot grindöverspänning

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlare i servrar
• Idealisk för högströmsmotordrivningssteg
• Används med strömfördelningsmoduler i telekomrack
• Kan användas för DC/DC-strömomvandling i växelriktare
• Lämplig för batterihantering och laddningssystem

Vilka termiska gränser bör konstruktörer tillåta under kontinuerlig drift?

Enheten är specifik för drift mellan -55 °C och 150 °C, så värmehantering bör säkerställa att kopplingstemperaturer förblir inom detta intervall under förväntad avledning.

Hur påverkar grindladdningen drivkraven?

Med en typisk grindladdning på 36 nC måste grinddrivare leverera tillräcklig laddning snabbt för att uppnå önskad omkopplingshastighet samtidigt som övergångsförlusterna minimeras.

Vilka monteringsöverväganden krävs för tillförlitlig prestanda?

Komponenten levereras i en 8-stifts TDSON-förpackning för ytmontering som mäter 6,1 x 5,35 mm, så PCB-jordmönster och lödfiléer bör rymma värmeledning och mekanisk stabilitet.

Vilka elektriska värden bestämmer den maximala omkopplingsspänningen och strömmen?

Enheten har en maximal dräneringsspänning på 30 V och en kontinuerlig dräneringsström på 100 A

bör omkopplingstopologier förbli inom dessa elektriska gränser.