Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 166-1198
Tillv. art.nr:: BSC097N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

19 285,00 kr

(exkl. moms)

24 105,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 28 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	3,857 kr	19 285,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 166-1198
Tillv. art.nr:: BSC097N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	46A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Kapseltyp	TDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	14.6mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	12nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	36W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20, +20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	6.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.1mm
	Längd	5.35mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Kapseltyp TDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 14.6mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 36W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 6.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.1mm
	Längd 5.35mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):: MY

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V drain-källspänning, 46 A kontinuerlig drain-ström – BSC097N06NSATMA1

Denna MOSFET är en effekttransistor som är utformad för omkoppling och förstärkning i kretsar med hög ström och låg spänning. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och levereras i ett kompakt ytmonterat paket som är lämpligt för täta kortlayouter. Enheten är avsedd för krävande elektroniska monteringar där effektiv ledning och grindstyrning krävs.

Funktioner och fördelar:

• Maximal drain-källspänning 60 V möjliggör robust omkoppling vid låg spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 46 A stöder hantering av högströmsbelastning
• Låg RDS(on) på 14,6 mΩ minskar ledningsförluster i strömkanaler
• Maximal effektförlust på 36 W möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• Typisk grindladdning 12 nC ger snabba grindövergångar
• Gate-source-tolerans 20 V möjliggör flexibla drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-regulatorsteg
• Idealisk för motordrivna halvbryggskretsar
• Används med DC/DC-omvandlare i serverströmförsörjningar
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämpligt för högströmsväxling vid belastningspunkt

Vilken termisk miljö tål den under drift?

Den är klassad för drift mellan -55 °C och 150 °C, vilket möjliggör användning i industriella och förhöjda temperaturer.

Vilket paket och vilken monteringsmetod finns för montering på kretskort?

Komponenten levereras i en TDSON-förpackning och är utformad för ytmontering för att underlätta automatiserad montering.

Vilken kanaltyp och vilket läge implementeras för omkopplingsbeteende?

Enheten använder en N-kanalförstärkningslägetopologi som är lämplig för switchning på låg- och hög sida när den drivs på lämpligt sätt.

Hur många elektriska anslutningar har enheten till en krets?

Den har en 8-stiftskonfiguration för att rymma grind-, dränerings- och källanslutningar och värmeledningsvägar.