Infineon N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

40,86 kr

(exkl. moms)

51,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 40 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 320 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 26 140 enhet(er) från den 14 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1802,043 kr40,86 kr
200 - 4801,408 kr28,16 kr
500 - 9801,328 kr26,56 kr
1000 - 19801,224 kr24,48 kr
2000 +1,146 kr22,92 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
725-9357
Distrelec artikelnummer:
304-45-313
Tillv. art.nr:
IRLML2060TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

480mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.67nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-16V, +16V

Maximal effektförlust Pd

1.25W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.04mm

Höjd

1.02mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.4mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals Power MOSFET 60V till 80V, Infineon


Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.