Infineon N Kanal, MOSFET, 1.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 302-022
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-995
- Tillv. art.nr:
- IRLML2803TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
23,97 kr
(exkl. moms)
29,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 505 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 115 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 01 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 4,794 kr | 23,97 kr |
| 50 - 245 | 4,30 kr | 21,50 kr |
| 250 + | 3,808 kr | 19,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 302-022
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-995
- Tillv. art.nr:
- IRLML2803TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 250mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 540mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 250mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 540mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 1,2A maximal kontinuerlig dräneringsström, 540 mW maximal effektförlust - IRLML2803TRPBF
Denna N-kanaliga MOSFET ger förbättrad prestanda och tillförlitlighet för en rad olika elektroniska applikationer. Den är konstruerad med Hexfet-teknik och fungerar effektivt i ytmonterade konfigurationer, vilket gör den lämplig för kompakta konstruktioner inom automations- och elindustrin. Kombinationen av låg RDS(on) och hög kontinuerlig avledningsström ger optimal strömhantering under olika förhållanden.
Funktioner & fördelar
• Stöder en maximal kontinuerlig dräneringsström på 1,2A för effektiv prestanda
• Hög maximal drain-source-spänning på 30 V möjliggör mångsidig användning
• Lågt maximalt drain-source-motstånd på 250mΩ minimerar effektförluster
• Enhancement mode operation möjliggör effektiva växlingsmöjligheter
• Kompakt SOT-23-paket är idealiskt för applikationer med begränsat utrymme
• Fungerar vid höga temperaturer, med en maximal driftstemperatur på +150°C
Användningsområden
• Används i DC-DC-omvandlare för effektiv energihantering
• Används i motorstyrkretsar för förbättrad precision
• Lämplig för strömförsörjningsomkoppling i konsumentelektronik
• Integrerad i automationssystem för effektiv lasthantering
Vilken är den optimala grindspänningen för drift?
Den optimala grindspänningen för den här enheten är +10V, vilket ger effektiv switchning och prestanda.
Hur fungerar den i höga temperaturer?
Denna komponent kan arbeta i temperaturer upp till +150°C, vilket garanterar tillförlitlighet under termiska förhållanden.
Kan den hantera pulsade dräneringsströmmar?
Ja, den klarar pulserande avtappningsströmmar som är betydligt högre än de kontinuerliga märkvärdena och klarar korta strömstötar.
Vilken typ av montering rekommenderas för den här enheten?
Ytmontering är den rekommenderade typen, eftersom den ger bättre termisk prestanda och utrymmeseffektivitet i kretskonstruktioner.
Vilka försiktighetsåtgärder bör vidtas under installationen?
Korrekt värmehantering och efterlevnad av maximala värden är nödvändiga för att förhindra skador under drift.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET