STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, RF MOSFET, 2.5 A 40 V Förbättring, 14 Ben, PowerFLAT, PD55003L-E
- RS-artikelnummer:
- 714-6771
- Tillv. art.nr:
- PD55003L-E
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
77,50 kr
(exkl. moms)
96,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 77,50 kr |
| 5 - 9 | 75,49 kr |
| 10 - 24 | 73,70 kr |
| 25 - 49 | 71,68 kr |
| 50 + | 69,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 714-6771
- Tillv. art.nr:
- PD55003L-E
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | RF MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | PD55003L-E | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 14 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | -65°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 0.88mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Typisk effektförstärkning | 19dB | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp RF MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie PD55003L-E | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 14 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur -65°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 0.88mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Typisk effektförstärkning 19dB | ||
RF MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Radiofrekvenstransistorerna är LDMOS-transistorer som lämpar sig för L-band satellitupplänkar och DMOS effekttransistorer i applikationer från 1 MHz till 2 GHz.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, RF MOSFET, 2.5 A 40 V Förbättring, 14 Ben, PowerFLAT, PD55003L-E
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
