Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 688-6973
- Tillv. art.nr:
- IRFB5620PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2 enheter, i en förpackning med 2)*
54,88 kr
(exkl. moms)
68,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 34 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 310 enhet(er) från den 14 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 27,44 kr | 54,88 kr |
| 20 - 48 | 23,63 kr | 47,26 kr |
| 50 - 98 | 21,95 kr | 43,90 kr |
| 100 - 198 | 20,55 kr | 41,10 kr |
| 200 + | 18,87 kr | 37,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 688-6973
- Tillv. art.nr:
- IRFB5620PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 73mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 14W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 9.02mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 73mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 14W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 9.02mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 200 V maximal drain-källspänning, 25 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB5620PBF
Denna MOSFET är en högspänning, N-kanals halvledaromkopplare som är utformad för tillämpningar med genomgående hål. Den fungerar som en förstärkningsenhet som är lämplig för omkopplings- och förstärkningsuppgifter i krävande miljöer, och den är inrymd i en TO-220-kapsel för enkel montering och kylelement.
Funktioner och fördelar:
• 200 V avtappningsspänning med stöd för högspänningsomkoppling
• Kontinuerlig dräneringsström på 25 A möjliggör robust lasthantering
• 73 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i strömkretsar
• 25 nC grindladdning möjliggör kontrollerade omkopplingshastigheter
• 14 W effektförlust möjliggör måttlig termisk belastning
• Gate-tolerans upp till 20 V skyddar mot överdrivningshändelser
• Kontinuerlig dräneringsström på 25 A möjliggör robust lasthantering
• 73 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i strömkretsar
• 25 nC grindladdning möjliggör kontrollerade omkopplingshastigheter
• 14 W effektförlust möjliggör måttlig termisk belastning
• Gate-tolerans upp till 20 V skyddar mot överdrivningshändelser
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsmotorstyrsteg
• Idealisk för switchade nätaggregat i industriell utrustning
• Används för växelströmskoppling i strömomvandling
• Kan användas för ljudförstärkare med utgångssteg
• Lämplig för generell strömomkoppling på hålkort
• Idealisk för switchade nätaggregat i industriell utrustning
• Används för växelströmskoppling i strömomvandling
• Kan användas för ljudförstärkare med utgångssteg
• Lämplig för generell strömomkoppling på hålkort
Vilka extrema temperaturer kan den tolerera under drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning över utökade termiska områden.
Hur påverkar förpackningen montering och värmehantering?
TO-220-kapseln med genomgående hål förenklar montering på kylelement och kretskort för effektiv värmeavledning.
Vilka gränsspänningsgränser bör iakttas vid drift?
Den maximala grind-till-källa-spänningen är 20 V, så grinddrivare bör förbli inom detta tröskelvärde.
Hur påverkar dess kanaltyp kretsdesignen?
Som en N-kanals förstärkningsenhet kräver den en positiv gate-källspänning för att leda, vilket passar låg- och hög-sidans omkopplartopologier när de drivs på lämpligt sätt.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 129 A 135 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 56 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET