Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (2000 enheter, i ett rör med 2000)*

34 406,00 kr

(exkl. moms)

43 008,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
2000 +17,203 kr34 406,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6756
Tillv. art.nr:
IRFI4227PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

26A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.036Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons Power MOSFET är speciellt utformad för applikationer med återvinning av långvarig energi och pass switch i plasmaskärmar. Denna MOSFET utnyttjar de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå låg on-resistans per kiselarea och låg EPULSE-klassning.

150 grader Celsius driftövergångstemperatur

Hög kapacitet för repetitiv toppström

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.