Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6752
- Distrelec artikelnummer:
- 304-34-458
- Tillv. art.nr:
- IRFI1310NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
136,42 kr
(exkl. moms)
170,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 3 670 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 27,284 kr | 136,42 kr |
| 50 - 120 | 24,572 kr | 122,86 kr |
| 125 - 245 | 22,892 kr | 114,46 kr |
| 250 - 495 | 21,504 kr | 107,52 kr |
| 500 + | 17,718 kr | 88,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6752
- Distrelec artikelnummer:
- 304-34-458
- Tillv. art.nr:
- IRFI1310NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.036Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.036Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Power MOSFET utnyttjar de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt lågt on-motstånd per kiselarea. Den har 4,8 mm sänka för att leda krypåldersavstånd. Den ger konstruktören en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer.
Fullständigt lavinklassad
Högspänningsisolering 2,5KVRMS
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET