Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6725
- Tillv. art.nr:
- IRF2807ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 1000 enheter)*
9 489,00 kr
(exkl. moms)
11 861,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 9,489 kr | 9 489,00 kr |
| 2000 + | 9,014 kr | 9 014,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6725
- Tillv. art.nr:
- IRF2807ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Denna design har ytterligare funktioner som 175 °C kopplingsdriftstemperatur, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning.
Ultralåg påslagningsresistans
Upprepad avalanche tillåten upp till Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 140 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 210 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, TO-220, HEXFET