Infineon N Kanal, MOSFET, 129 A 135 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 260-5935
- Tillv. art.nr:
- IRF135B203
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 260-5935
- Tillv. art.nr:
- IRF135B203
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 129A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 135V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 129A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 135V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IR MOSFET-familj av effekt-MOSFET-er använder beprövade silikonprocesser som erbjuder designers ett brett utbud av enheter för att stödja olika tillämpningar som DC-motorer, växelriktare, SMPS, belysning, lastomkopplare samt batteridrivna tillämpningar. Enheterna finns tillgängliga i en mängd olika ytmonterings- och hålförpackningar med industristandardfotavtryck för enkel design.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Industriellt standardpaket med genomgående hål
Högströmsbärande kapacitet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 129 A 135 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 56 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET