IXYS N Kanal, MOSFET, 22 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 10 enheter)*

6 014,18 kr

(exkl. moms)

7 517,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
10 +601,418 kr6 014,18 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4610
Tillv. art.nr:
IXTN22N100L
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

22A

Maximal källspänning för dränering Vds

1kV

Serie

Linear

Kapseltyp

SOT-227

Typ av fäste

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

600mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

700W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

270nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.6mm

Bredd

25.07mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

38.2mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
US

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS Linear-serien


N-kanaliga Power MOSFETs speciellt konstruerade för linjär drift. Dessa enheter har utökat FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) för ökad robusthet och tillförlitlighet.

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.