onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- RS-artikelnummer:
- 124-1693
- Tillv. art.nr:
- BSS123
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 306,00 kr
(exkl. moms)
4 134,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 24 000 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 20 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 1,102 kr | 3 306,00 kr |
| 9000 - 21000 | 0,992 kr | 2 976,00 kr |
| 24000 + | 0,894 kr | 2 682,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-1693
- Tillv. art.nr:
- BSS123
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 170mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.92mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.93mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.92mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.93mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123 AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123 AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 220 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench AEC-Q101