Sök efter MPN

onsemi N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

RS-artikelnummer:: 124-1693
Tillv. art.nr:: BSS123
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Denna bild representerar endast produktgruppen

Få en mängdrabatt

Lägg till 9000 till för att spara 990,00 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 306,00 kr

(exkl. moms)

4 134,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 24 000 enhet(er) från den 05 november 2026
Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 05 maj 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*	Besparing
3000 - 6000	1,102 kr	3 306,00 kr	-
9000 - 21000	0,992 kr	2 976,00 kr	990,00 kr
24000 +	0,894 kr	2 682,00 kr	4 992,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 124-1693
Tillv. art.nr:: BSS123
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	170mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	PowerTrench
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	6Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	1.8nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	360mW
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	2.92mm
	Bredd	1.3mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	930μm
	Fordonsstandard	AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie PowerTrench
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 6Ω
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.8nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 360mW
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 2.92mm
	Bredd 1.3mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 930μm
	Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-transistorer, ON Semi

ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.