Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 23 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 542-9226
- Tillv. art.nr:
- IRF3315PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 542-9226
- Tillv. art.nr:
- IRF3315PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 70mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Längd | 10.54mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.69mm | ||
Längd 10.54mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 23 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 94 W maximal effektförlust - IRF3315PBF
Denna högpresterande MOSFET är utformad för en mängd olika elektroniska tillämpningar. Med en N-kanalkonfiguration spelar den en viktig roll i strömhanteringslösningar, vilket möjliggör effektiv omkoppling i kretsar som hanterar höga ström- och spänningsnivåer. Dess robusta funktioner uppfyller kraven för automation, elektronik och mekaniska tillämpningar.
Funktioner & fördelar
• Kontinuerlig dräneringsströmstyrka stöder krävande tillämpningar
• Maximal drain-källspänning på 150 V säkerställer tillförlitlig prestanda
• Lågt Rds(on)-värde minskar effektförlusten i högfrekventa tillämpningar
• Kan användas vid temperaturer upp till +175 °C för ökad hållbarhet
• Dubbelt grindtröskelspänningsområde säkerställer kompatibilitet med olika kretsar
• Lämplig för drift i förstärkningsläge för ökad prestandaflexibilitet
Användningsområden
• Används i strömförsörjningskretsar för effektiv spänningsreglering
• Integrerad i motorstyrningslösningar för optimal utgångshantering
• Används inom fordonsindustrin som kräver tillförlitlighet
• Kan användas i industriella automationssystem som kräver precision
• Används i förnybara energisystem för att förbättra strömhanteringen
Hur kan jag avgöra lämpligheten för min tillämpning?
Utvärdering av specifikationer som maximala ström- och spänningsvärden hjälper till att fastställa kompatibilitet med din applikations krav.
Vilka installationsöverväganden bör jag vara medveten om?
Korrekt kylelement och värmehantering bör säkerställas, med tanke på potentialen för hög effektförlust och maximala drifttemperaturer.
Hur påverkar grindtröskelspänningen funktionaliteten?
Tröskelspänningen påverkar enhetens omkopplingsegenskaper och måste anpassas till drivsignalnivåerna i din krets för optimal prestanda.
Kan den hantera högfrekvensomkopplingstillämpningar?
Ja, dess låga Rds(on) och snabba omkopplingsegenskaper gör den lämplig för högfrekvent drift utan överdriven värmegenerering.
Vilken är komponentens förväntade livslängd vid kontinuerlig användning?
Livslängden varierar beroende på driftsförhållanden, men att hålla temperaturen under maximala värden kan avsevärt öka livslängden och tillförlitligheten.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 87 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 53 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 202 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
