Infineon N Kanal, MOSFET, 87 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4851
- Tillv. art.nr:
- IRFZ24NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 100 till för att spara 22%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
268,80 kr
(exkl. moms)
336,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 1 300 enhet(er) är redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 5,376 kr | 268,80 kr | - |
| 100 - 200 | 4,14 kr | 207,00 kr | 22% |
| 250 - 450 | 3,871 kr | 193,55 kr | 27% |
| 500 - 1200 | 3,602 kr | 180,10 kr | 32% |
| 1250 + | 3,333 kr | 166,65 kr | 38% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4851
- Tillv. art.nr:
- IRFZ24NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 87A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.009Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC TO-220AB | |
| Längd | 10.54mm | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 87A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.009Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC TO-220AB | ||
Längd 10.54mm | ||
Bredd 4.69mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 17 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 45 W maximal effektförlust - IRFZ24NPBF
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vilket driftstemperaturområde är lämpligt för optimal prestanda?
Hur kan jag integrera detta i min nuvarande kretsdesign?
Vilka försiktighetsåtgärder bör vidtas under installationen?
Klarar den kontinuerligt höga strömmar?
Vilka parametrar bör jag övervaka för optimal drift?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 87 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 53 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 202 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
