Infineon N Kanal, MOSFET, 53 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET

RS-artikelnummer:: 541-0711
Tillv. art.nr:: IRFZ46NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 53 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET

Antal (1 enhet)*

15,23 kr

(exkl. moms)

19,04 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

738 enhet(er) levereras från den 12 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
1 +	15,23 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 541-0711
Tillv. art.nr:: IRFZ46NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	53A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-220AB
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	17mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal effektförlust Pd	107W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	72nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	9.02mm
	Längd	10.66mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	4.82mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 53A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-220AB
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 17mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal effektförlust Pd 107W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 9.02mm
	Längd 10.66mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 4.82mm
	Fordonsstandard Nej

Logga in för att ladda ner CAD-modeller

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 53 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 107 W maximal effektförlust - IRFZ46NPBF

Denna MOSFET är avgörande för högeffektiva tillämpningar inom automation och elektronik. Den hanterar effektivt betydande strömmar och spänningar, vilket gör den tillämplig i olika industriella miljöer. Dess avancerade design stöder tillförlitlig drift vid extrema temperaturer, hanterar olika elektroniska behov samtidigt som den förenklar kretsdesigner.

Funktioner & fördelar

• Kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 53 A för krävande laster

• Maximal effektförlust på 107 W för effektiv värmehantering

• Låg påslagningsresistans på 17 mΩ, vilket förbättrar effektiviteten

• Förbättringslägesdesign möjliggör mångsidig tillämpning

• Definierade gate-tröskelspänningsspecifikationer säkerställer exakt styrning

Användningsområden

• Effektomvandling i industriella automationssystem

• Motorstyrning och drivkretsar

• Strömhanteringssystem för energieffektiva konstruktioner

• Implementering i switchade nätaggregat för konsistens

• Elektronisk omkoppling kräver snabb respons

Kan den användas vid höga temperaturer?

Ja, den fungerar effektivt vid temperaturer upp till +175 °C.

Vilken ström kan den hantera vid förhöjda temperaturer?

Vid 100 °C kan den säkert hantera en kontinuerlig dräneringsström på 37 A.

Hur säkerställer jag optimal termisk prestanda under installationen?

Att använda en TO-220AB-kapsel med tillräcklig kylelement kan effektivt minimera termisk resistans och säkerställa prestanda.

Vilka är specifikationerna för grindströskelspänning?

Grindtröskelspänningen är specificerad för intervall mellan 2 V och 4 V för exakt driftskontroll.

Är den lämplig för användning i nätaggregat?

Ja, den är effektiv i switchade nätaggregat på grund av dess snabba omkopplingsförmåga och låga påslagningsmotstånd.