Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 202 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

30,91 kr

(exkl. moms)

38,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 38 enhet(er) från den 07 september 2026
  • Dessutom levereras 2 enhet(er) från den 07 september 2026
  • Dessutom levereras 213 enhet(er) från den 11 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 930,91 kr
10 - 4925,42 kr
50 - 9924,08 kr
100 - 24922,74 kr
250 +22,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
543-1083
Distrelec artikelnummer:
302-84-006
Tillv. art.nr:
IRF1404PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

202A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-220AB

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.004Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

333W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

131nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.67mm

Höjd

8.77mm

Bredd

4.83mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 202 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 333 W maximal effektförlust - IRF1404PBF


Denna effekt-MOSFET är konstruerad för hög effektivitet och tillförlitlighet i olika applikationer, vilket gör den viktig för yrkesverksamma inom automation, elektronik och elektroteknik. De avancerade bearbetningstekniker som används garanterar minimal on-resistans och ett brett driftstemperaturområde, vilket breddar användningsområdet.

Funktioner & fördelar


• Kontinuerlig dräneringsström på 202 A ger robust prestanda

• Låg Rds(on) på 4mΩ förbättrar energieffektiviteten

• Snabba växlingsfunktioner förbättrar den totala prestandan

• Kan arbeta vid höga temperaturer, upp till 175°C

• Använder Si MOSFET-teknik för effektiv värmehantering

• Levereras i en TO-220AB-förpackning för enkel montering

Användningsområden


• Används i industriella automationssystem för effektiv kraftomkoppling

• Lämplig för motorstyrningar och frekvensomriktare med hög strömstyrka

• Idealisk för strömförsörjning prioritera effektivitet

• Används i system för förnybar energi för effektiv effekthantering

Vilken typ av spänning kan hanteras?


Enheten klarar spänningsnivåer på upp till 40V mellan drain och source, vilket ger mångsidiga möjligheter för olika tillämpningar inom spänningsreglering.

Hur påverkar dess låga on-resistens systemets effektivitet?


Det låga Rds(on) minskar strömförlusten under drift, vilket leder till förbättrad systemeffektivitet genom att minimera energislöseriet.

Vilka temperaturer tål den under drift?


Den är konstruerad för att fungera effektivt inom ett temperaturområde på -55°C till +175°C, vilket gör den lämplig för krävande miljöer.

Kan den hantera pulsade dräneringsströmmar?


Ja, den kan hantera pulserande dräneringsströmmar på upp till 808 A, vilket ger flexibilitet för olika applikationsbehov.

Vad är betydelsen av TO-220AB-paketet?


TO-220AB-paketet möjliggör effektiv värmeavledning och bekväm montering, lämplig för både kommersiell och industriell användning.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.