Vishay 2 N Kanal, MOSFET, 504 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, SQRS140ELP
- RS-artikelnummer:
- 280-0024
- Tillv. art.nr:
- SQRS140ELP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 280-0024
- Tillv. art.nr:
- SQRS140ELP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 504A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | SQRS140ELP | |
| Kapseltyp | SO-8SW | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 40V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested, RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 504A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie SQRS140ELP | ||
Kapseltyp SO-8SW | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 40V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested, RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Automotive MOSFET är en N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg- och UIS-testat
AEC-Q101-godkänd
Helt blyfri (Pb)-enhet
Relaterade länkar
- Vishay 2 N Kanal, MOSFET, 504 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, SQRS140ELP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 467 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 373 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 373 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 46 A 80 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJA81EP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ138EP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 266 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ140EP
- Vishay 2 N Kanal, MOSFET, 123 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8L, SQJ740EP