Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 467 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 735-247
- Tillv. art.nr:
- SQRS140EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 enhet)*
32,14 kr
(exkl. moms)
40,18 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 32,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-247
- Tillv. art.nr:
- SQRS140EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 467A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SO-8SW | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0012Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 270W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 148nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Bredd | 5mm | |
| Längd | 6mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 467A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SO-8SW | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0012Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 270W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 148nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Bredd 5mm | ||
Längd 6mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Relaterade länkar
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 373 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 373 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 5.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 99 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 98 A 150 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -128 A -80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 500 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101