Vishay N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ138EP
- RS-artikelnummer:
- 210-5029
- Tillv. art.nr:
- SQJ138EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 210-5029
- Tillv. art.nr:
- SQJ138EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 330A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | SQJ138EP | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 312W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.26mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 330A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie SQJ138EP | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximal effektförlust Pd 312W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.26mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.12mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET har PowerPAK SO-8L-kapseltyp.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101-godkänd
100 % Rg och UIS-testad
<
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ138EP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V N, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQ AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 46 A 80 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJA81EP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 266 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ140EP
- Vishay 2 N Kanal, MOSFET, 123 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8L, SQJ740EP
- Vishay 2 N Kanal, MOSFET, 504 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, SQRS140ELP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 166 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SO-8L, SQJ162EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 500 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101