Vishay N Kanal, MOSFET, 46 A 80 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJA81EP
- RS-artikelnummer:
- 204-7240
- Tillv. art.nr:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
464,92 kr
(exkl. moms)
581,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 23,246 kr | 464,92 kr |
| 40 - 80 | 18,592 kr | 371,84 kr |
| 100 - 180 | 16,268 kr | 325,36 kr |
| 200 - 480 | 13,479 kr | 269,58 kr |
| 500 + | 12,544 kr | 250,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-7240
- Tillv. art.nr:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SQJA81EP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.25mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SQJA81EP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.25mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Automotive P-kanal 80 V (D-S) 175 °C MOSFET är AEC-Q101-kvalificerad.
100 % Rg och UIS-testad
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 46 A 80 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJA81EP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 72 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQJA78EP AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 46 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -128 A -80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 66 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 46 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS4C10N
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ138EP