Vishay 2 N Kanal, MOSFET, 123 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8L, SQJ740EP
- RS-artikelnummer:
- 280-0020
- Tillv. art.nr:
- SQJ740EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 280-0020
- Tillv. art.nr:
- SQJ740EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 123A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | SQJ740EP | |
| Kapseltyp | SO-8L | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 40V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | 100 percent Rg and UIS tested, RoHS, AEC-Q101 | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 123A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie SQJ740EP | ||
Kapseltyp SO-8L | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 40V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden 100 percent Rg and UIS tested, RoHS, AEC-Q101 | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Automotive MOSFET är en dubbel N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg- och UIS-testat
AEC-Q101-godkänd
Helt blyfri (Pb)-enhet
Relaterade länkar
- Vishay 2 N Kanal, MOSFET, 123 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8L, SQJ740EP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 166 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SO-8L, SQJ162EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 243 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay Siliconix N Kanal, MOSFET, 24.5 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8L, SQJ872EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 99 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 98 A 150 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 66 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
