Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

2 122,80 kr

(exkl. moms)

2 653,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5042,456 kr2 122,80 kr
100 +37,743 kr1 887,15 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9908
Tillv. art.nr:
SIHF085N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

13A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

EF

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.084Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

35W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

63nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.1mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Vishay EF-serie MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 13 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHF085N60EF-GE3


Denna MOSFET är en högspänningsförstärkningsenhet med N-kanal avsedd för strömomkopplings- och styrsteg i hålanordningar. Den är utformad för att hantera höga dränering-till-källspänningar samtidigt som den fungerar över ett brett temperaturområde, vilket gör den lämplig för krävande elektroniska system som kräver robust omkoppling och termisk hållbarhet.

Funktioner och fördelar:


• 600 V avtappningskapacitet möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 13 A kontinuerlig avtappningsström för kontinuerlig strömförsörjning
• Låg påslagningsresistans på 0.084 Ω minskar ledningsförluster
• 35 W effektförlust stöder måttlig termisk belastning
• 63 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Vgs-klassning ±30 V för robusta gate-drivningstoleranser

Användningsområden


• Lämpligt för högspänningsomvandlare och växelriktare
• Idealisk för industriella motorstyrningssteg
• Används med nätaggregat som kräver montering med genomgående hål
• Kan användas för switchade nätaggregat i industriell utrustning
• Lämplig för prototyp- och reparationsarbete på äldre kraftsystem

Vilken monteringsstil krävs och hur påverkar det värmehanteringen?


Den använder en TO-220-kapsling med genomgående hål som möjliggör bultning till en kylelement för förbättrad värmeavledning och enkel kretskortsmontering.

Vilka grinddrivkretsöverväganden krävs för effektiv omkoppling?


Utforma drivaren för att leverera tillräcklig laddning för den typiska grindladdningen på 63 nC för att uppnå önskade stignings-/falltider samtidigt som du undviker överdriven grindbelastning nära ±30 V-gränsen.

Hur fungerar enheten över extrema temperaturer?


Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med betydande termisk variation samtidigt som de elektriska egenskaperna bibehålls.

Vilka framåtriktade ledningsegenskaper är relevanta för diodledningsvägar?


Specifikationen för framåtriktad spänning är 1,2 V, vilket informerar förlustberäkningar när ledningsförmåga hos kroppsdioden uppstår under omkoppling eller omvänd ström.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.