Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- RS-artikelnummer:
- 279-9909
- Tillv. art.nr:
- SIHF085N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
68,77 kr
(exkl. moms)
85,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 16 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 68,77 kr |
| 10 - 24 | 67,65 kr |
| 25 - 99 | 66,08 kr |
| 100 + | 61,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9909
- Tillv. art.nr:
- SIHF085N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.084Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie EF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.084Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay EF-serie MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 13 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHF085N60EF-GE3
Denna MOSFET är en högspänningsförstärkningsenhet med N-kanal avsedd för strömomkopplings- och styrsteg i hålanordningar. Den är utformad för att hantera höga dränering-till-källspänningar samtidigt som den fungerar över ett brett temperaturområde, vilket gör den lämplig för krävande elektroniska system som kräver robust omkoppling och termisk hållbarhet.
Funktioner och fördelar:
• 600 V avtappningskapacitet möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 13 A kontinuerlig avtappningsström för kontinuerlig strömförsörjning
• Låg påslagningsresistans på 0.084 Ω minskar ledningsförluster
• 35 W effektförlust stöder måttlig termisk belastning
• 63 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Vgs-klassning ±30 V för robusta gate-drivningstoleranser
• 13 A kontinuerlig avtappningsström för kontinuerlig strömförsörjning
• Låg påslagningsresistans på 0.084 Ω minskar ledningsförluster
• 35 W effektförlust stöder måttlig termisk belastning
• 63 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Vgs-klassning ±30 V för robusta gate-drivningstoleranser
Användningsområden
• Lämpligt för högspänningsomvandlare och växelriktare
• Idealisk för industriella motorstyrningssteg
• Används med nätaggregat som kräver montering med genomgående hål
• Kan användas för switchade nätaggregat i industriell utrustning
• Lämplig för prototyp- och reparationsarbete på äldre kraftsystem
• Idealisk för industriella motorstyrningssteg
• Används med nätaggregat som kräver montering med genomgående hål
• Kan användas för switchade nätaggregat i industriell utrustning
• Lämplig för prototyp- och reparationsarbete på äldre kraftsystem
Vilken monteringsstil krävs och hur påverkar det värmehanteringen?
Den använder en TO-220-kapsling med genomgående hål som möjliggör bultning till en kylelement för förbättrad värmeavledning och enkel kretskortsmontering.
Vilka grinddrivkretsöverväganden krävs för effektiv omkoppling?
Utforma drivaren för att leverera tillräcklig laddning för den typiska grindladdningen på 63 nC för att uppnå önskade stignings-/falltider samtidigt som du undviker överdriven grindbelastning nära ±30 V-gränsen.
Hur fungerar enheten över extrema temperaturer?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med betydande termisk variation samtidigt som de elektriska egenskaperna bibehålls.
Vilka framåtriktade ledningsegenskaper är relevanta för diodledningsvägar?
Specifikationen för framåtriktad spänning är 1,2 V, vilket informerar förlustberäkningar när ledningsförmåga hos kroppsdioden uppstår under omkoppling eller omvänd ström.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF