Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- RS-artikelnummer:
- 279-9909
- Tillv. art.nr:
- SIHF085N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
68,77 kr
(exkl. moms)
85,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 68,77 kr |
| 10 - 24 | 67,65 kr |
| 25 - 99 | 66,08 kr |
| 100 + | 61,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9909
- Tillv. art.nr:
- SIHF085N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.084Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie EF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.084Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay EF-serien MOSFET, 600 V drain-source-spänning, 13 A kontinuerlig drain-ström – SIHF085N60EF-GE3
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för strömomkoppling i industriella och elektroniska system. Den levereras i en TO-220-förpackning med genomgående hål för enkel montering och värmehantering, och är avsedd för användning där robust spänningshantering och betydande strömkapacitet krävs.
Funktioner och fördelar:
• 600 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • 13 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar • 0,084 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning • Effektförlust på 35 W möjliggör hållbar strömhantering • ±30 V grindtolerans möjliggör breda driftspänningsmarginaler • 63 nC typisk grindladdning ger förutsägbart omkopplingsbeteende
Användningsområden
• Lämpligt för industriella motorstyrningssteg • Idealisk för strömförsörjningar och högspänningsomvandlare • Används för växelriktare och UPS-strömomkopplingsmoduler • Kan användas för induktiv belastningskontroll i automationssystem
I vilket temperaturområde kan den fungera?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till maximalt 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med förhöjd temperatur.
Hur många stift har komponenten och vilken är monteringstypen?
Den har tre stift och är konfigurerad för genomgående hålmontering för att underlätta säker korthållning och kylelementgränssnitt.
Vilken förpackningsform och strömhantering bör förväntas vid montering av en kylelement?
TO-220-kapseln med 35 W maximal effektförlust är lämplig för kylelementfäste för förbättrad termisk prestanda vid kontinuerlig drift.
Uppfyller denna enhet vanliga miljöbegränsningar?
Den uppfyller RoHS-kraven, vilket indikerar överensstämmelse med specificerade gränsvärden för farliga ämnen.
Hur påverkar grindladdningen omkopplingsdesignen?
En typisk grindladdning på 63 nC hjälper till att bestämma drivströmskraven och omkopplingsövergångstiderna för effektiv grinddrivkonstruktion.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF