Vishay N Kanal, MOSFET, 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF
- RS-artikelnummer:
- 178-0891
- Tillv. art.nr:
- SIHG70N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 178-0891
- Tillv. art.nr:
- SIHG70N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 38mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 253nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 520W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.87mm | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.82mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 38mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 253nC | ||
Maximal effektförlust Pd 520W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.87mm | ||
Bredd 5.31mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.82mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET med snabb diod, EF-serien, Vishay Semiconductor
Minskad omvänd återställningstid, omvänd återställningsladdning och omvänd återställningsström
Låg meritfaktor (FOM)
Låg ingångskapacitans (Ciss)
Ökad robusthet tack vare låg omvänd återställningsladdning
Ultralåg grindladdning (Qg)
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF