Vishay N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- RS-artikelnummer:
- 188-4973
- Tillv. art.nr:
- SIHA22N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
223,10 kr
(exkl. moms)
278,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 005 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 44,62 kr | 223,10 kr |
| 25 - 45 | 40,164 kr | 200,82 kr |
| 50 - 120 | 37,924 kr | 189,62 kr |
| 125 - 245 | 35,638 kr | 178,19 kr |
| 250 + | 33,466 kr | 167,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-4973
- Tillv. art.nr:
- SIHA22N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.182Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 33W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.3mm | |
| Höjd | 15.3mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.182Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 33W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.3mm | ||
Höjd 15.3mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
EF-seriens effekt-MOSFET med snabbdiod (Fast Body Diode).
Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg
Låg ingångskapacitans (Ciss)
Minskade kopplings- och ledningsförluster
ANSÖKNINGAR
Nätaggregat för server och telekom
Strömförsörjning med omkopplare (SMPS)
Nätaggregat med effektfaktorkorrigering (PFC)
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SiHP22N60EF
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, EF Series
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF