Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (50 enheter, i ett rör med 50)*

1 310,40 kr

(exkl. moms)

1 638,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 950 enhet(er) från den 25 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5026,208 kr1 310,40 kr
100 - 20024,636 kr1 231,80 kr
250 - 45022,279 kr1 113,95 kr
500 +20,966 kr1 048,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-4962
Tillv. art.nr:
SiHA186N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

EF

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

168mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

33W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

21nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

9.7mm

Längd

28.1mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

4.3mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay EF-serie effekt-MOSFET, 600 V drain-källspänning, 33 W maximal effektförlust – SiHA186N60EF-GE3


Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för tillämpningar med switchad ström där robusta dränerings-till-källprestanda och kompakt montering med genomgående hål krävs. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för konstruktioner som kräver en 600 V blockeringskapacitet, drivs från standardgrindspänningar och monteras på konventionella kylelement.

Funktioner och fördelar:


• 600 V-klassning möjliggör högspänningskoppling i effektsteg
• 8.4 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 168 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid driftströmmar
• 33 W effektförlust möjliggör kontinuerlig värmebelastning med kylelement
• 21 nC typisk grindladdning ger förutsägbart behov av omkopplingsenergi
• 30 V maximal grindstyrning medger vanliga grindstyrningsspänningar

Användningsområden


• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning
• Idealisk för industriella motorstyrningsfrontändar
• Används för strömomvandling i växelriktare för förnybar energi
• Kan användas för belysning av förkopplingsdon och lampor för styrkretsar
• Lämplig för hålmonteringar i laboratorier och för prototypframtagning

Vilket grindspänningsområde ska jag konstruera för i styrkretsar?


Håll grinddrivningen inom en gräns på ±30 V i förhållande till källan, med typisk omkoppling som drivs av grindspänning upp till 30 V för att säkerställa säker drift.

Hur påverkar värmehanteringen kontinuerlig strömkapacitet?


Kontinuerlig avtappningsström beror på termiskt motstånd mot omgivningen

att använda en kylelement för att hålla kopplingstemperaturen under 150 °C upprätthåller den nominella kapaciteten på 8,4 A.

Är denna enhet lämplig för fordonssystem som kräver specifika godkännanden?


Den har inte godkännanden av fordonsklass, så det bör inte specificeras där fordonscertifierade komponenter är obligatoriska.

Vilka omkopplingshänsyn uppstår från grindladdningsvärdet?


Grindladdningen på 21 nC definierar den erforderliga drivströmmen och omkopplingsövergångstiderna

plandrivarstorlek för att balansera omkopplingsförluster och övergångshastighet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.