STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 92 A Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, STW
- RS-artikelnummer:
- 275-1381
- Tillv. art.nr:
- STW65N023M9-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rör med 30 enheter)*
4 779,03 kr
(exkl. moms)
5 973,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 270 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 159,301 kr | 4 779,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 275-1381
- Tillv. art.nr:
- STW65N023M9-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 92A | |
| Serie | STW | |
| Kapseltyp | TO-247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 463W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 230nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 15.8mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 92A | ||
Serie STW | ||
Kapseltyp TO-247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 463W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 230nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 15.8mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET är baserad på den mest innovativa super-junction MDmesh M9-tekniken, lämplig för MOSFET med medel- eller högspänning med mycket låg RDS(on) per område. Den silikonbaserade M9-tekniken drar nytta av en tillverkningsprocess med flera avlopp som möjliggör en förbättrad enhetsstruktur. Den resulterande produkten har en av de lägsta påslagningsresistanserna och reducerade grindladdningsvärden, bland alla silikonbaserade snabbkopplande superkopplings-effekt-MOSFET-transistorer, vilket gör den särskilt lämplig för applikationer som kräver överlägsen effekttäthet och enastående effektivitet.
Utmärkta omkopplingsegenskaper
Lätt att köra
100-procentigt lavintestat
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 92 A Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, STW
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 92 A Förbättring, 3 Ben, TO-247, STW
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 56 A Förbättring, 3 Ben, TO-247, STW
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 30 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, STW AEC-Q101
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 92 A 25 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 91 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4