STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 92 A Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, STW
- RS-artikelnummer:
- 275-1382
- Tillv. art.nr:
- STW65N023M9-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 enhet)*
139,33 kr
(exkl. moms)
174,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 285 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 139,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 275-1382
- Tillv. art.nr:
- STW65N023M9-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 92A | |
| Kapseltyp | TO-247-4 | |
| Serie | STW | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 230nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 463W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 92A | ||
Kapseltyp TO-247-4 | ||
Serie STW | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 230nC | ||
Maximal effektförlust Pd 463W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium or high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super junction power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
Excellent switching performance
Easy to drive
100 percent avalanche tested
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 92 A Förbättring TO-247-4, STW
- STMicroelectronics Typ N Kanal 92 A Förbättring TO-247, STW
- STMicroelectronics Typ N Kanal 56 A Förbättring TO-247, STW
- STMicroelectronics Typ N Kanal 55 A 30 V Förbättring TO-247, STW AEC-Q101
- Infineon N-kanal Kanal 92 A 25 V Förbättring TO-247-4, CoolSiC
- STMicroelectronics 1 Typ N Kanal 4 Ben SCT
- STMicroelectronics N-kanal Kanal 56 A 1200 V Förbättring Hip-247-4, Sct
- STMicroelectronics Typ N Kanal 91 A 1200 V Förbättring Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
