STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 4 Ben, ECOPACK, STL
- RS-artikelnummer:
- 273-5099
- Tillv. art.nr:
- STL260N4F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 6000 till för att spara 3 402,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
41 934,00 kr
(exkl. moms)
52 416,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 13,978 kr | 41 934,00 kr | - |
| 6000 + | 13,411 kr | 40 233,00 kr | 3 402,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5099
- Tillv. art.nr:
- STL260N4F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | ECOPACK | |
| Serie | STL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp ECOPACK | ||
Serie STL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET använder STripFET F7-teknik med en förbättrad grindgate-struktur som resulterar i ett mycket lågt motstånd i on-state, samtidigt som den minskar den interna kapaciteten och grindladdningen för snabbare och effektivare omkoppling.
AEC-Q101-godkänd
Utmärkt FoM
Hög motståndskraft mot laviner
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 4 Ben, ECOPACK, STL
- STMicroelectronics N-kanal N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, ECOPACK, STripFETTM F7 AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, N-kanals MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 158 A 100 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL