STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 158 A 100 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- RS-artikelnummer:
- 330-476
- Tillv. art.nr:
- STL165N10F8AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
34,41 kr
(exkl. moms)
43,01 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 938 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 34,41 kr |
| 10 - 99 | 31,11 kr |
| 100 - 499 | 28,49 kr |
| 500 - 999 | 26,70 kr |
| 1000 + | 23,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-476
- Tillv. art.nr:
- STL165N10F8AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 158A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.2mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 6.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 158A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.2mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 6.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanalförstärkningsläge Power MOSFET designad i STripFET F8-teknik, med en förbättrad grindstruktur. Den levererar en toppmodern meritfaktor med mycket låg påslagningsresistans, minskad intern kapacitans och grindladdning, vilket möjliggör snabbare och mer effektiv omkoppling.
100 % avalanche-testade
Låg grindladdning Qg
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 304 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 203 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL